26-05-2026, 21:20
Технология LDMOS обладает еще одним важным преимуществом — отличной термостабильностью, которая достигается за счет отрицательного температурного коэффициента, обусловленного технологией изготовления кристалла, т.е. специальных мер для термостабилизации не нужно, что упрощает саму схемотехнику прибора. Перегрев не столь критичен для этих приборов. Прекрасная выносливость устройства (КСВ < 10) может быть достигнута благодаря высокому напряжению пробоя (около 80 В). Следует также отметить чрезвычайно высокое прогнозируемое время безотказной работы (MTBF) подобных приборов — от 2600 до 4800 лет при температуре 130 °C и более 1700 лет при температуре 200 °C, что существенно выше, чем у приборов, выполненных по биполярной и традиционной MOS-технологии. Конечно цикличность работы сокращает время деградации, но думаю на наш век хватит и не стоит по этому поводу заморачиваться.